FP10R12W1T4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
20 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet