Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT FP10R12W1T4

FP10R12W1T4

FP10R12W1T4
FP10R12W1T4
Артикул:
Описание: FP10R12W1T4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Array 7
Continuous Collector Current 20 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Array 7
Continuous Collector Current 20 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet