История:
MF300C12F2-BP
IRG7PH35UDPBF
MII150-12A4
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FP10R12W1T4_B29
FP10R12W1T4_B29
FP10R12W1T4_B29
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4_B29: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4_B29: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

