История:
HN1A01FE-GR,LF
RM12/I-3C90
FF400R12KT3_E
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FP10R12W1T4_B29
FP10R12W1T4_B29
FP10R12W1T4_B29
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4_B29: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4_B29: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

