История:
F02A250V2-1/2AS
FP10R12W1T4_B3
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4_B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

