История:
BT136X-600F,127
RM12/I-3C94
FP10R12W1T7B3BOMA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Configuration
Quad
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
10 A
Power Dissipation
20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T7B3BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FP10R12W1T7B3BOMA1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by