История:
1812L200THPR
FP150R07N3E4_B11
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R07N3E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

