История:
47745-0200
FP150R12KT4P_B11
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
150 A
Power Dissipation
20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R12KT4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet