История:
2N4264
FS25R12KT3
Z0109MAML
096097
FS20R06VE3
2N4237
40452
FS10R06VE3
94599
FP15R06YE3_B4
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55 V
Configuration
IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
22 A
Power Dissipation
71.5 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R06YE3_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FP15R06YE3_B4 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

