История:
FS25R12W1T4
AC0201FR-0782KL
94600
FGA30S120P
IXBOD1-28R
STGW30H60DFB
105434
STGPL6NC60D
FD650R17IE4
FGA30N65SMD
FGAF40N60SMD
FGA40N65SMD
ACTT10-800CQ
FS35R12KE3G
105496
FP10R06KL4
APTC80H29SCTG
K2000EH70AP
LSP05G480P
STGF20NB60S
BCP5616TA
STGIPQ3H60T-HLS
RM5-3D3
105540
T810T-8FP
EMH9FHAT2R
P0080ECLRP2
FF150R12MS4G
099315
APT5010JVRU3
FP15R12W1T4
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
28 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FP15R12W1T4 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

