История:
2EDGV-5.0-02P
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FP30R06W1E3_B11
FP30R06W1E3_B11
FP30R06W1E3_B11
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP30R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP30R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

