История:
FP30R06W1E3_B11
5SGSED8N1F45I2G
| Фото | Наименование | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
К сравнению
|
FP30R06W1E3_B11
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP30R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
1
