FP35R12KT4_B15
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
35 A
Power Dissipation
210 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet