Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT FS100R12KT4G

FS100R12KT4G

FS100R12KT4G
FS100R12KT4G
Артикул:
Описание: FS100R12KT4G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 515 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 515 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet