История:
LM361M
CS60-16IO1
Q6012LH1LED
095404
FS150R07N3E4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
150 A
Power Dissipation
430 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R07N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet