История:
2N4264
FS25R12KT3
Z0109MAML
096097
FS20R06VE3
2N4237
40452
FS10R06VE3
94599
FS150R12KT3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
200 A
Power Dissipation
700 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FS150R12KT3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by