FS200R12PT4PBOSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75 V
Configuration
IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
200 A
Power Dissipation
20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12PT4PBOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet