История:
FS150R12PT4
FS150R06KE3
FS150R12KE3
FS15R06XE3
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FS300R12KE4
FS300R12KE4
FS300R12KE4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS300R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

