Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: Z00607MA 1BA2 FS50R12KT4_B11 APTGT450DA60G APT45GP120B2DQ2G K2200SHRP STGIB20M60S-L DD800S33K2C FS50R12KT4_B15 IXGX300N60B3 BSM75GAL120DN2 BSM50GAL120DN2 DD200S33K2C IXGT72N60B3 IXGH30N60C3D1 APTGL475A120D3G K3601GRP F3L300R07PE4 IXGK300N60B3 BCR25RM-12LB FS50R06W1E3 T835-600B IXGH60N60C3D1 FS800R07A2E3_B31 YAT-9A STGYA120M65DF2AG FS500R17OE4D FZ1200R33KF2C K0900E70AP KAT-7 Z0103MA 5AL2 DTA124XM3T5G Z0109NA 2AL2 K3002GRP APT2X101D20J IXGP12N120A3 APTGL60TL120T3G 0032.1146 APTGLQ50VDA65T3G KAT-3

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT

FS50R07W1E3_B11A

FS50R07W1E3_B11A

FS50R07W1E3_B11A

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

FS50R07W1E3_B11A

Описание: FS50R07W1E3_B11A

Datasheet:

Характеристики

Manufacturer Infineon

Product IGBT Silicon Modules

Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V

Configuration Single

Gate-Emitter Leakage Current 400 nA

Continuous Collector Current 70 A

Power Dissipation 205 W

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R07W1E3_B11A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Скачать datasheet

Купить IGBT модуль FS50R07W1E3_B11A в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by