История:
FD150R12RT4
TPDV840RG
K2000GAP
FS50R12KE3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
75 A
Power Dissipation
270 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FS50R12KE3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by