История:
K2000GURP
FS75R12KE3_B9
FAM65HR51DS2
FS75R07W2E3_B11A
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
95 A
Power Dissipation
275 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R07W2E3_B11A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FS75R07W2E3_B11A в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by