История:
APT32F120J
122338
LSP05240PM
055107
ACST1010-7T
054695
CAB400M12XM3
BCR30CM-8LB
105518
LSP05GI347S
105401
LSP05GI240SH
196513
LSP05GI480SH
APT51F50J
STGWA40H120DF2
P0900SBLRP
096117
LSP10347S
V661DB40
APT80M60J
BCR3AM-14B
196508
192105
P0720SB
APT38F50J
P0720EALAP
RM8-3D3
ACT108-800EEP
APTDF200H170G
APTDF100H170G
K2000SRP
APT60M75JVR
192106
LSP10240LLS
APT30M40JVR
FS75R12KE3_B9
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
105 A
Power Dissipation
355 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KE3_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FS75R12KE3_B9 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

