История:
STGWA40H65DFB
FD150R12RT4
TPDV840RG
K2000GAP
FS75R12KS4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.2 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
100 A
Power Dissipation
500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FS75R12KS4 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by