История:
LT4356CS-1
096218
2SCR514PFRAT100
R5F572TFFGFP
FS820R08A6P2BBPSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
750 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Configuration
6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
450 A
Power Dissipation
714 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS820R08A6P2BBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet