История:
STGWA40H65DFB2
P2000SBLRP
099320
FS820R08A6P2BPSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
750 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Configuration
6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
450 A
Power Dissipation
714 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS820R08A6P2BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FS820R08A6P2BPSA1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by