История:
GA2.2K3MRBD1
BK10-S501-V-6-3-R
FT150R12KE3G_B4
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Triple
Continuous Collector Current
200 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FT150R12KE3G_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

