История:
L6008L8TP
K2000GURP
FS75R12KE3_B9
FAM65HR51DS2
FZ1000R33HL3
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
1000 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1000R33HL3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FZ1000R33HL3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

