FZ1200R33KF2C
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.4 V
Configuration
Triple Common Emitter Common Gate
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
2000 A
Power Dissipation
14.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet