История:
DF300R07PE4_B6
BSM30GP60
TC503J2K
DF400R12KE3
FZ400R12KP4
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
400 A
Power Dissipation
2400 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

