История:
TMS320F2801PZS
TMS320F2812ZHHS
2N5550TAR
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FZ400R12KS4
FZ400R12KS4
FZ400R12KS4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single Dual Emitter
Continuous Collector Current
510 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Single Dual Emitter
Continuous Collector Current
510 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

