FZT855TA Diodes Incorporated
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
Collector- Base Voltage VCBO
250 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
355 mV
Gain Bandwidth Product fT
90 MHz
Pd - Power Dissipation
3 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
15 at 5 A, 5 V
DC Current Gain hFE Max
100
Factory Pack Quantity
1000
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Maximum DC Collector Current
10 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
FZT855
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор FZT855TA Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент FZT855TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FZT855TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.