GB100XCP12-227
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Semiconductor
Product
IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Configuration
IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module GB100XCP12-227: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet