Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

HGTD1N120BNS9A

Описание: HGTD1N120BNS9A

Характеристики

Manufacturer ON Semiconductor

Collector-Emitter Voltage 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 5.3 A

Power Dispation 60 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-HGTD1N120BNS9A: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор HGTD1N120BNS9A в каталоге Components.by