История:
T1035H-6G
B59008C0070A040
BTA25-800BW
Q8040K7TP
BTA26-600BWRG
AC0201FR-0730K1L
FGH40N60SFTU
RM5/I-3F36
RM12/I-3F4
APT100GT120JU3
AC0201FR-071K37L
APTGT400U170D4G
T835H-6I
APT200GN60JDQ4
STGIB15CH60S-E
STB2.5-QU-PE
AC0603FR-07115RL
APT100GN60LDQ4G
5M160ZM68C4N
2N2327 PBFREE
FS3L50R07W2H3_B11
AC0201FR-076K04L
IFCM20U65GDXKMA1
DG24-4-12P
AC0201FR-0780K6L
APTGT200DU60TG
BD3/1/4-4S2
HGTG11N120CND
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
HGTG11N120CND
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
43 A
Power Dispation
298 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG11N120CND: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор HGTG11N120CND в каталоге Components.by