Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: VUB160-16NOX AUIRGSL30B60K AC0603FR-0720K5L DCX143ZU-7-F SR1206JR-074R7L A2106UA6LRP DCX114YU-7-F RV1206FR-07150KL IHW40N60RFKSA1 IGZ75N65H5XKSA1 10-643729-002 NXH80T120L2Q0P2TG RT1210BRD07150KL E65/32/27-3C95 BCR35PNH6327XTSA1 AT32UC3A4128-C1UT SR1206FR-7T1RL BT138-600G0Q AC0603FR-071K65L 2304NZG-1LF 2SA1416S-TD-E 15EDGKCM-3.5-03P AC0603FR-0722K6L DD500S33HE3 MLS00402-4S4-121 MLS0805-4S7-700 DG043-PV-PB-05P-MM BT136X-600F,127 RM12/I-3C94

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

HGTG12N60C3D

Описание: HGTG12N60C3D

Характеристики

Manufacturer ON Semiconductor

Collector-Emitter Voltage 600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 24 A

Power Dispation 104 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-HGTG12N60C3D: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор HGTG12N60C3D в каталоге Components.by