История:
AUIRGPS4070D0
FGH25N120FTDS
CST26/13/29-4S2
APTGT200DU120G
CPH3123-TL-E
2N2325 PBFREE
AC0603FR-07182RL
TDB6HK360N16P
BTA06-600SRG
M8A03Z-MMSST-SC001B
IKA08N65F5
MKI50-06A7
MG06150S-BN4MM
5M160ZE64C5N
AC0201FR-07390KL
SGD02N120
APTGT150A60T1G
RM4/I-3C90
ROD6/25-4B1
M12A03Z-MASRAUA
MG12400D-BN2MM
BTB24-600BWRG
RM7/I-3F36
MIEB100W1200TEH
BTA25-600CW3G
BTA12-600CW3G
IKD03N60RFATMA1
HGTG18N120BND
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
HGTG18N120BND
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
54 A
Power Dispation
390 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG18N120BND: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор HGTG18N120BND в каталоге Components.by