Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

HGTG18N120BND
HGTG18N120BND
Артикул:
Описание: HGTG18N120BND
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 54 A
Power Dispation 390 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG18N120BND: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 54 A
Power Dispation 390 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-HGTG18N120BND: Биполярный транзистор с изолированным затвором