История:
206523-0201
IFCM30T65GDXKMA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75 V
Configuration
2-Phase
Gate-Emitter Leakage Current
1 mA
Continuous Collector Current
30 A
Power Dissipation
60.4 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM30T65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet