История:
EP4SGX70HF35C3G
SR0805JR-7W33RL
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75 V
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
600 A
Power Dissipation
20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFF600B12ME4S8PB11BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet