История:
QJ8025RH4TP
APT40M35JVR
QJ6016RH4TP
QJ6016RH3TP
048832
IGA03N120H2
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IGA03N120H2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGA03N120H2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IGA03N120H2 в каталоге Components.by

