История:
IXBOD1-15R
105492
IXBOD1-17R
IXBOD1-25R
IGB15N60TATMA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IGB15N60TATMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
26 A
Power Dispation
130 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGB15N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IGB15N60TATMA1 в каталоге Components.by