Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGB50N60T

IGB50N60T

IGB50N60T
IGB50N60T
Артикул:
Описание: IGB50N60T
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 90 A
Power Dispation 333 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 90 A
Power Dispation 333 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором