История:
RGPR20NS43HRTL
IGB50N60TATMA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IGB50N60TATMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
90 A
Power Dispation
333 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N60TATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IGB50N60TATMA1 в каталоге Components.by