История:
TMS320F2808ZGMS
MCC72-18IO8B
M5KP13A
IGB50N65S5ATMA1
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IGB50N65S5ATMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
270 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGB50N65S5ATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

