История:
0407002.WR
IGW100N60H3
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IGW100N60H3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
140 A
Power Dispation
714 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGW100N60H3: Биполярный транзистор с изолированным затвором

