IGW25T120
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IGW25T120
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Power Dispation
190 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGW25T120: Биполярный транзистор с изолированным затвором