Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: PLT18/10/2-3F36 RGT30NS65DGC9 FF600R12ME4A_B11 BTB24-600CWRG RM8/I-3C95 AC0201FR-0746K4L RM14/ILP-3F36 K1050E70 RGW60TK65DGVC11 APTGT30H170T3G F5-75R06KE3_B5 FD250R65KE3-K FF225R17ME4PBPSA1 2SB1202S-TL-E IGB50N60TATMA1 VS-ETF150Y65U APTGT50DDA120T3G YAT-20A APTGT100H60TG PZT4401,115 PLT58/38/4-3F4 BCR8FM-14LJ AC0201FR-0749R9L STGW15H120F2 FGH40T65SPD-F155 AC0201FR-0717R4L MLI080505-150-10 MKP1V130RLG IGW100N60H3 AC0201FR-078K06L AC0201FR-0715KL RN2903,LF(CT AC0201JR-071KL MG1250S-BA1MM BTA12-700CWRG

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

IGW50N60TPXKSA1

IGW50N60TPXKSA1

IGW50N60TPXKSA1

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

IGW50N60TPXKSA1

Описание: IGW50N60TPXKSA1

Характеристики

Manufacturer Infineon

Collector-Emitter Voltage 600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 90 A

Power Dispation 333 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-IGW50N60TPXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор IGW50N60TPXKSA1 в каталоге Components.by