История:
AC0603FR-07261RL
2N5400 PBFREE
IGB15N60TATMA1
T2535-800G
AGN210S06Z
AD8468WBKSZ-RL
APTGT35X120T3G
BD8/3/4-4S2
RM4/I-3F46
NSVMMUN2113LT3G
RGW80TS65DGC11
YAT-12A
IGB10N60TATMA1
2N5629 PBFREE
RGT40NS65DGTL
Q6025K681
PLT18/10/2-4F1
HGTG30N60B3
BTB16-600CWRG
Z0109NA,412
BTA203-800CTEP
ACTT2X-800E,127
RGW00TK65DGVC11
K2200EH70AP
MLN0603-400
RGT50NL65DGTL
MLI080505-4R7-10
BCR10CM-16LH
YAT-6A
2DD1664P-13
DF200R12W1H3_B27
NTLUS3A40PZTAG
RM8/I-3C91
YAT-30A
RGTVX6TS65GC11
Q8008N5RP
FB10R06KL4G
SA-EBBR-2006-F
2DB1132Q-13
BCR 158 E6327
FF300R12KE4_B2
4501515-010
BSM300GA120DLC
APT150GN120J
MKP1V160G
ADTC144WCAQ-7
RGT40NS65DGC9
IGW60N60H3
MLN0603-241
IGW40N65H5AXKSA1
RM8/I-3F36
Q6016LH6
BCR12CM-16LH
ACTT2S-800E,118
IGW20N60H3
RGT50NS65DGC9
IKB06N60T
Q4040K7TP
RM5/ILP-3C90
Q8025N5RP
RGTVX6TS65DGC11
IHW40N60R
AC0603FR-07232RL
IGW30N60H3
A2C25S12M3-F
Z0103MA0,412
Q6X8E3
BTB08-600CWRG
RGT8NS65DGC9
IGW75N60H3
RGT40NL65DGTL
RGT00TS65DGC11
Q6040J781
LSP05GI240PHX3333
QK008VH4
Q6X8E4
PLT18/10/2-3C97
ZV14K2220122NIR1HT
AC0603FR-071ML
IGW50N60H3
AC0201JR-073R3L
IGW40N60H3
IGW50N65H5
BTB06-600CWRG
Q6010LH5
IGW40N65H5
NGTB50N60SWG
ZXTP03200BGTA
LSP05GI240SX3333
A1P35S12M3-F
Q8010N5RP
Q6006N5RP
Z0109MA0,412
Q6008N4RP
APTGLQ25H120T2G
RGTV60TS65DGC11
101KD07-FTB
RGCL80TK60DGC11
RGCL60TK60GC11
Q6012LH5TP
AC0603FR-0723K7L
Q6010L555TP
Q6012LH2
RGCL80TK60GC11
AC0603FR-0723K2L
Q6006DH4RP
Q6010LH5TP
Q6010L5
L0103DE
Q6006DH3RP
ACTT12B-800CJ
Q6016LH6TP
IGZ100N65H5XKSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IGZ100N65H5XKSA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
161 A
Power Dispation
536 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IGZ100N65H5XKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IGZ100N65H5XKSA1 в каталоге Components.by