История:
Z0107MA0,412
APT30M40JVFR
LSP05G277PX3333
BCR25FM-12LB
FS35R12W1T4_B11
BTA40-600B
BTA24-800CWRG
LSP10240SX3333
RGTV60TK65DGVC11
Q6040J781TP
2N4921G
P0080EALRP2
NR77CB0
BSM35GD120DLCE3224
BTA16-600SW3G
Q8008VH4TP
Q8012LH5TP
Q8008N5TP
Q8016LH4TP
Q8015L5
Q8016LH3TP
Q8010LH5TP
Q8015R5
Q8016NH3TP
Q8010L5
IHW20N120R5
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IHW20N120R5
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Power Dispation
288 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IHW20N120R5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IHW20N120R5 в каталоге Components.by