История:
QJ6016RH6TP
0LCC5
LM211D
0LCC7
TS334IPT
IKA08N65F5
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKA08N65F5
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
10.8 A
Power Dispation
31.2 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKA08N65F5: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKA08N65F5 в каталоге Components.by