История:
IGP50N60T
STGB10M65DF2
MC-RE7.5V08C-R-0001
IKA15N60TXKSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKA15N60TXKSA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
18.3 A
Power Dispation
35.7 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKA15N60TXKSA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKA15N60TXKSA1 в каталоге Components.by