История:
Q6016LH1LEDTP
QJ6016RH6TP
0LCC5
LM211D
0LCC7
TS334IPT
IKB15N60T
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKB15N60T
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
26 A
Power Dispation
130 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKB15N60T: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKB15N60T в каталоге Components.by