История:
APTC60HM70BT3G
Q4004L3
V680LU10P
V680LU80AP
3544
3532
3531
V680LS10P
3530
3545
IKB20N60TAATMA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IKB20N60TAATMA1
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Power Dispation
156 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IKB20N60TAATMA1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IKB20N60TAATMA1 в каталоге Components.by